DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.
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Technische Details DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote DS1230W-100IND+
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DS1230W-100IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
 NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230W-100IND | Hersteller : DALLAS |
09+ SOP |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230W-100IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230W-100IND | Hersteller : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230W-100IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230W-100IND+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |