DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 61.25 EUR |
| 12+ | 56.25 EUR |
| 36+ | 54.07 EUR |
| 60+ | 53.07 EUR |
| 108+ | 51.93 EUR |
| 252+ | 50.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1230Y-120+ nach Preis ab 45.67 EUR bis 61.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
DS1230Y-120+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| DS1230Y-120 | Hersteller : DALLAS |
09+ |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
| DS1230Y120 | Hersteller : DALLAS | 09+ BGA |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
| DS1230Y-120 | Hersteller : DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Hersteller : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
||||||||||||
| DS1230Y-120+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 256b SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Case: DIP28 Kind of interface: parallel Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
DS1230Y-120 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
DS1230Y-120 | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory: 256b SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Case: DIP28 Kind of interface: parallel Mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |