DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc.
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Technische Details DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Zugriffszeit: 120ns, usEccn: EAR99, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1230Y-120+ nach Preis ab 43.99 EUR bis 56.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230Y-120 | Hersteller : DALLAS |
09+ |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y120 | Hersteller : DALLAS | 09+ BGA |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y-120 | Hersteller : DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y-120+ | Hersteller : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zugriffszeit: 120ns usEccn: EAR99 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
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| DS1230Y-120+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 256b SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Kind of interface: parallel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DS1230Y-120 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1230Y-120 | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230Y-120+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 256b SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Kind of interface: parallel |
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