Weitere Produktangebote DS1230Y-120IND nach Preis ab 48.7 EUR bis 67.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DS1230Y-120IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
 NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230Y-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230Y-120IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1230Y-120IND | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| DS1230Y-120IND+ | Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 DLSDS1230Y120IND Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1230Y-120IND+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 59.29 EUR |
| 12+ | 54.45 EUR |
| 24+ | 52.32 EUR |
| 60+ | 51.36 EUR |
| 108+ | 50.27 EUR |
| 252+ | 48.7 EUR |
| DS1230Y-120IND+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 67.87 EUR |
| 12+ | 62.3 EUR |
| 36+ | 59.88 EUR |
| 60+ | 58.77 EUR |
| DS1230Y-120IND+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1230Y-120IND |
|
Hersteller: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1230Y-120IND+ |
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auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)