DS1230Y-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 68.42 EUR |
| 12+ | 62.86 EUR |
| 24+ | 60.4 EUR |
| 60+ | 59.3 EUR |
| 108+ | 57.79 EUR |
| 252+ | 56.22 EUR |
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Technische Details DS1230Y-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1230Y-100+ nach Preis ab 64.33 EUR bis 78.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
  NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1230Y100 | DALLAS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DS1230Y-100 | DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 19224 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1230Y-100+ |
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Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 69.88 EUR |
| DS1230Y-100+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 78.35 EUR |
| 12+ | 71.92 EUR |
| 36+ | 69.14 EUR |
| 60+ | 67.85 EUR |
| 108+ | 66.39 EUR |
| 252+ | 64.33 EUR |
| DS1230Y-100+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1230Y-100+ |
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Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1230Y100 |
Hersteller: DALLAS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1230Y-100 |
|
Hersteller: DALLAS
DIP
DIP
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)