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DS1230Y-100+

DS1230Y-100+

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Produktcode: 30908
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Hersteller: DS
IC > IC Speicher

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Technische Details DS1230Y-100+ DS

  • NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230
  • Memory Type:NVRAM
  • Interface Type:Parallel
  • Memory Size:256Kbit
  • Memory Configuration:32K x 8bit
  • Access Time:100ns
  • NVRAM Features:Internal Battery
  • Memory Voltage Vcc:5V
  • Min Supply Voltage:4.5V
  • Max Supply Voltage:5.5V
  • Termination Type:Through Hole
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:28
  • Operating Temperature Range:-40`C to +85`C
  • Max Operating Temperature:85`C
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Base Number:1230
  • IC Generic Number:1230
  • IC Temperature Range:Industrial
  • Memory IC Case Style:DIP

Weitere Produktangebote DS1230Y-100+ nach Preis ab 47.24 EUR bis 65.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf description NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.5 EUR
12+52.82 EUR
24+50.76 EUR
60+49.83 EUR
108+48.56 EUR
252+47.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf description NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf description Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.84 EUR
12+60.44 EUR
36+58.1 EUR
60+57.02 EUR
108+55.79 EUR
252+54.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal description Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf description NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DS1230Y100 DALLAS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DS1230Y-100 DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf description DIP
auf Bestellung 19224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DS1230Y-100+ description DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-100+
Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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AnzahlPreis
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DS1230Y-100+
Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
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DS1230Y-100+
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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DS1230Y-100+
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
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Bauform - Speicherbaustein: DIP
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MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
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DS1230Y-100+ description ds1230ab-ds1230y.pdf
DS1230Y-100+
Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DS1230Y100
Hersteller: DALLAS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DS1230Y-100 description DS1230AB-DS1230Y.pdf
Hersteller: DALLAS
DIP
auf Bestellung 19224 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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