Technische Details DS1230Y-100 DALLAS
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DS1230Y-100 nach Preis ab 26.69 EUR bis 36.43 EUR
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DS1230Y-100+ Produktcode: 30908
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Hersteller : DS |
 IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230Y-100 | Hersteller : DALLAS |
07+; |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y100 | Hersteller : DALLAS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y-100 | Hersteller : DALLAS |
08+; |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y-100 | Hersteller : DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 19224 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230Y-100 | Hersteller : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1230Y-100 | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230Y-100+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
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DS1230Y-100 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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| DS1230Y-100+ | Hersteller : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230Y-100+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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