DS1245AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details DS1245AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1245AB-100 nach Preis ab 56.17 EUR bis 56.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DS1245AB-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Part Status: Active Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube Memory Organization: 128K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245AB-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| DS1245AB-100 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1245AB-100+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 56.17 EUR |
| DS1245AB-100+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
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Zugriffszeit: 100ns
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Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
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usEccn: 3A991.b.2.a
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Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1245AB-100 |
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Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)