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DS1245AB-120

DS1245AB-120 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1245AB-DS1245Y.pdf
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 371 Stücke:
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Technische Details DS1245AB-120 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
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11+63.74 EUR
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DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1245AB_DS1245Y-3122077.pdf NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 20 Stücke:
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11+71.24 EUR
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110+64.26 EUR
253+64.24 EUR
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DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DS1245AB-120 DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DS1245AB-120+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-120+
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
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DS1245AB-120+
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
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Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025)
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DIP-32 08+09+
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