DS1245Y-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details DS1245Y-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1245Y-100 nach Preis ab 60.77 EUR bis 81.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DS1245Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1245Y-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIPtariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| DS1245Y-100 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| DS1245Y100 | DS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1245Y-100+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 69.33 EUR |
| 11+ | 66.26 EUR |
| 22+ | 61.69 EUR |
| 55+ | 60.79 EUR |
| 110+ | 60.77 EUR |
| DS1245Y-100+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 81.49 EUR |
| 11+ | 75.02 EUR |
| 33+ | 72.1 EUR |
| 55+ | 70.76 EUR |
| 110+ | 68.97 EUR |
| DS1245Y-100+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
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| DS1245Y-100 |
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Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1245Y100 |
Hersteller: DS
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)


