DS1245Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 81.98 EUR |
| 11+ | 75.46 EUR |
| 33+ | 72.53 EUR |
| 55+ | 71.18 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DS1245Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1245Y-70IND+ nach Preis ab 73.94 EUR bis 87.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1245Y-70IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
DS1245Y-70IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIPtariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 2315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| DS1245Y70IND | DALLAS |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1245Y70IND+ | DALLAS |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1245Y-70IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| DS1245Y-70IND+ | Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245Anzahl je Verpackung: 11 Stücke |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1245Y-70IND+ |
![]() |
Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 87.44 EUR |
| 11+ | 80.47 EUR |
| 22+ | 77.32 EUR |
| 55+ | 75.87 EUR |
| 110+ | 73.94 EUR |
| DS1245Y-70IND+ |
![]() |
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1245Y70IND |
Hersteller: DALLAS
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1245Y70IND+ |
Hersteller: DALLAS
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1245Y-70IND |
![]() |
Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1245Y-70IND+ |
![]() |
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)


