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DS1250Y-70

DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1250AB-DS1250Y.pdf
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2686 Stücke:
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Technische Details DS1250Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).

Weitere Produktangebote DS1250Y-70 nach Preis ab 219.9 EUR bis 289.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y.pdf Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
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DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y.pdf NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 7 Stücke:
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22+255.1 EUR
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DS1250Y-70+ DS1250Y-70+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6 Stücke:
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DS1250Y-70 DALLAS DS1250AB-DS1250Y.pdf DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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DS1250Y-70+
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
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DS1250Y-70+ datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal
DS1250Y-70+
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
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Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
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Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
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