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DTC123JUBTL

DTC123JUBTL Rohm Semiconductor

dtc123jmt2l-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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Technische Details DTC123JUBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: UMT3F, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-85, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC123JUBTL DTC123JUBTL Rohm Semiconductor dtc123je3-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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DTC123JUBTL DTC123JUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTC123JUBTL ROHM datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SOT23-3
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DTC123JUB TL ROHM SOT23/SOT323
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Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
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SOT23-3
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