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EGP10F

EGP10F ON Semiconductor

egp10k-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 300V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details EGP10F ON Semiconductor

Description: DIODE STANDARD 300V 1A DO41, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.

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EGP10F EGP10F Hersteller : ON Semiconductor egp10k-d.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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EGP10F EGP10F Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS25872-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 300V 1A DO41
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
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EGP10F EGP10F Hersteller : onsemi / Fairchild 095DDF1B7568AE661606493EF78B155C30FD9CE83AA458226E04DC8CB30C1A0C.pdf Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery
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10+0.53 EUR
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EGP10F EGP10F Hersteller : onsemi EGP10K-D.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
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34+0.53 EUR
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EGP10F Hersteller : ONSEMI FAIRS25872-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - EGP10F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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EGP10F EGP10F Hersteller : ON Semiconductor egp10k-d.pdf Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-41 T/R
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EGP10F EGP10F Hersteller : ON Semiconductor egp10k-d.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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EGP10F EGP10F Hersteller : onsemi EGP10K-D.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
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EGP10F Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0ACFDDF43D8E020E2&compId=EGP10A-EGP10G.pdf?ci_sign=118b660756febf4a7a13729f2b14948fab1b4983 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.25V
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 300V
Kind of package: tape
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