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FCH077N65F-F085

FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote FCH077N65F-F085 nach Preis ab 9.26 EUR bis 24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 ONSEMI ONSM-S-A0009312209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FCH077N65F-F085 ON Semiconductor FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH077N65F-F085 ON Semiconductor FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH077N65F-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
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Grade: Automotive
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Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
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FCH077N65F-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
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