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FCP13N60N

FCP13N60N ON Semiconductor

3653971760897114fcpf13n60nt-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FCP13N60N ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V.

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FCP13N60N FCP13N60N Hersteller : ON Semiconductor 3653971760897114fcpf13n60nt-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FCP13N60N FCP13N60N Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS45894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
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FCP13N60N FCP13N60N Hersteller : onsemi / Fairchild FCPF13N60NT_D-2311925.pdf MOSFET 600V, 13A, N-Chan
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FCP13N60N FCP13N60N Hersteller : ON Semiconductor 3653971760897114fcpf13n60nt-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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