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FCPF11N60

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Produktcode: 166014
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details FCPF11N60

  • MOSFET, N, TO-220F
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:600V
  • On State Resistance:0.32ohm
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:TO-220F
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Case Style:TO-220F
  • Cont Current Id:11A
  • Power Dissipation Pd:36W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

Weitere Produktangebote FCPF11N60 nach Preis ab 2.23 EUR bis 6.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FCPF11N60 FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.93 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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FCPF11N60 FCPF11N60 ON-Semiconductor info-tfcpf11n60.pdf description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.64 EUR
50+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60t-d.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
auf Bestellung 8226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+3.47 EUR
100+3.19 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.75 EUR
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FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI ONSM-S-A0003584299-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
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FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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FCPF11N60 description info-tfcpf11n60.pdf
FCPF11N60
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.64 EUR
50+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
auf Bestellung 8226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.72 EUR
10+3.47 EUR
100+3.19 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 description ONSM-S-A0003584299-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH