FCPF11N60 ON Semiconductor
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Technische Details FCPF11N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FCPF11N60 nach Preis ab 1.94 EUR bis 5.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FCPF11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF11N60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V 11A N-CH |
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FCPF11N60 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
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FCPF11N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCPF11N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
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FCPF11N60 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF11N60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF11N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF11N60 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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FCPF11N60 Produktcode: 166014
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FCPF11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF11N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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