FCPF260N60E Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 190+ | 2.7 EUR |
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Technische Details FCPF260N60E Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCPF260N60E nach Preis ab 2.51 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FCPF260N60E | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF260N60E | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
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FCPF260N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FCPF260N60E | Hersteller : ONSEMI |
FCPF260N60E THT N channel transistors |
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