Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FCPF260N60E

FCPF260N60E ON Semiconductor


fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FCPF260N60E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Weitere Produktangebote FCPF260N60E nach Preis ab 2.94 EUR bis 8.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
142+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.32 EUR
100+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.11 EUR
100+3.8 EUR
500+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 9720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+5.49 EUR
100+3.89 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.99 EUR
2000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E ON Semiconductor FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
auf Bestellung 49650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.46 EUR
10+4.32 EUR
100+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.79 EUR
10+5.11 EUR
100+3.8 EUR
500+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 9720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.32 EUR
10+5.49 EUR
100+3.89 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.99 EUR
2000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 49650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH