FCPF260N60E onsemi / Fairchild
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Technische Details FCPF260N60E onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCPF260N60E nach Preis ab 2.42 EUR bis 4.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCPF260N60E | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
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FCPF260N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FCPF260N60E | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 36W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 48nC On-state resistance: 0.26Ω Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 36W Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement |
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