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FDB7030BL

FDB7030BL ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details FDB7030BL ON Semiconductor

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDB7030BL FDB7030BL Fairchild Semiconductor fdp7030bl-d.pdf Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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FDB7030BL ONSEMI ONSM-S-A0003584740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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