
FDB8444_F085 Fairchild Semiconductor
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Technische Details FDB8444_F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FDB8444_F085
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDB8444_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
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auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB8444-F085 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB8444-F085 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB8444-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDB8444-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDB8444_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
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FDB8444-F085 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |