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FDB8870

FDB8870 onsemi

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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
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Technische Details FDB8870 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Packaging: Bulk, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB8870 FDB8870 Fairchild Semiconductor FAIRS26348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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FDB8870 ONSEMI ONSM-S-A0003584033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W
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rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
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10+3.53 EUR
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250+2.62 EUR
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Description: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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