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FDD6030BL

FDD6030BL ON Semiconductor

fdd6030bl.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD6030BL ON Semiconductor

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDD6030BL FDD6030BL Fairchild Semiconductor FAIRS32466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
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FDD6030BL ONSEMI FAIRS32466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD6030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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FDD6030BL FAIRCHILD FAIRS32466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252
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FDD6030BL
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FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
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euEccn: NLR
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