FDD6612A ON Semiconductor
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Technische Details FDD6612A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDD6612A nach Preis ab 0.93 EUR bis 1.36 EUR
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FDD6612A | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 82286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 56989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6612A | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
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| FDD6612A |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| FDD6612A |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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