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FDD6680A

FDD6680A Fairchild Semiconductor

FAIRS21601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
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Technische Details FDD6680A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V.

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FDD6680A Hersteller : ONSEMI FAIRS21601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD6680A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDD6680A FDD6680A Hersteller : onsemi FDD6680A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
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FDD6680A FDD6680A Hersteller : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16132035333357-1191789.pdf MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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