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FDD6688

FDD6688 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD6688 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V.

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FDD6688 FDD6688 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
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FDD6688 FAIRCHILD FDD%2CFDU6688.pdf FAIR-S-A0002365683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-252
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Vgs (Max): ±20V
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