FDMD8280

FDMD8280 Fairchild Semiconductor


FDMD8280.pdf Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
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Technische Details FDMD8280 Fairchild Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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FDMD8280 FDMD8280 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDMD8280.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
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FDMD8280 FDMD8280 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDMD8280.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
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FDMD8280 Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FDMD8280-1305648.pdf MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
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FDMD8280 Hersteller : ONSEMI FDMD8280.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMD8280 Hersteller : ONSEMI FDMD8280.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
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