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FDN359BN Transistor

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN359BN FDN359BN onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2039+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.68 EUR
318+0.54 EUR
408+0.4 EUR
506+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.73 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.77 EUR
292+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
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FDN359BN FDN359BN onsemi / Fairchild FDN359BN-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 22365 Stücke:
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10+0.77 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
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FDN359BN FDN359BN onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 79130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
253+0.92 EUR
354+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+1.34 EUR
253+0.92 EUR
354+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 78000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.26 EUR
21000+0.25 EUR
30000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2039+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2039+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.68 EUR
318+0.54 EUR
408+0.4 EUR
506+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.73 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+0.77 EUR
292+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
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FDN359BN FDN359BN-D.pdf
FDN359BN
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 22365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.15 EUR
10+0.77 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 79130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17036 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
186+1.34 EUR
253+0.92 EUR
354+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+1.34 EUR
253+0.92 EUR
354+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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ZXM61P03FTA
Produktcode: 72847
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