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FDPF5N50NZF

FDPF5N50NZF ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FDPF5N50NZF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 4.2, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 30, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDPF5N50NZF FDPF5N50NZF ON Semiconductor fdpf5n50nzf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FDPF5N50NZF FDPF5N50NZF onsemi FAIRS45786-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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FDPF5N50NZF FDPF5N50NZF Fairchild Semiconductor FAIRS45786-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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FDPF5N50NZF FDPF5N50NZF onsemi FAIRS45786-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdpf5n50nzf-d.pdf MOSFETs 500V N-Channel UniFET-II
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Hersteller: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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FDPF5N50NZF
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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