FDPF7N60NZT onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 431+ | 1.68 EUR |
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Technische Details FDPF7N60NZT onsemi
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDPF7N60NZT nach Preis ab 2.5 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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FDPF7N60NZT | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET UF2 600V 1.25OHM TO220F |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FDPF7N60NZT | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF7N60NZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.05 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF7N60NZT | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF7N60NZT | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |