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FDS4435A

FDS4435A onsemi

FDS4435A.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
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Technische Details FDS4435A onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
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Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : ONSEMI FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
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FDS4435A Hersteller : FAIRCHILD FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf
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FDS4435A Hersteller : FAIRCHIL FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf SOP8
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FDS4435A Hersteller : FAIR FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf SOP8
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : ON Semiconductor fds4435a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : ON Semiconductor fds4435a-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : onsemi FDS4435A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : ON Semiconductor fds4435a-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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FDS4435A FDS4435A Hersteller : onsemi / Fairchild onsm_s_a0009678638_1-2279910.pdf MOSFET SO-8 P-CH -30V
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