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FDS6294

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Produktcode: 163303
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6294 FDS6294 ON Semiconductor fds6294-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
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FDS6294 FDS6294 ON Semiconductor fds6294-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6294 FDS6294 ON Semiconductor fds6294-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6294 FDS6294 Fairchild Semiconductor FAIRS24713-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 18921 Stücke:
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962+0.62 EUR
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FDS6294 FDS6294 ONSEMI ONSM-S-A0003584753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6294 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5300 Stücke:
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2500+0.83 EUR
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FDS6294 FDS6294 ON-Semiconductor info-tfds6294.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDS6294 fds6294-d.pdf
FDS6294
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6294
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FDS6294
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
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FDS6294
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6294 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6294
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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