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FDS6986AS

FDS6986AS onsemi

fds6986as-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FDS6986AS onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6986AS FDS6986AS Fairchild Semiconductor FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
597+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
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FDS6986AS FDS6986AS ONSEMI 2299539.pdf Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6986AS FDS6986AS ONSEMI 2299539.pdf Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6986AS FDS6986AS onsemi fds6986as-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6986AS Aptina Imaging FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6986AS FAIRCHILD FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf 09+
auf Bestellung 40018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6986AS FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6986AS
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 3700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
597+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 597 Stücke
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FDS6986AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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FDS6986AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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104+2.42 EUR
115+2.02 EUR
148+1.45 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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FDS6986AS
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6986AS FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6986AS FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
09+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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