FF1000R17IE4DB2BOSA1
Produktcode: 207389
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FF1000R17IE4DB2BOSA1 nach Preis ab 1015.15 EUR bis 1078.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 6250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W 12-Pin Tray |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.39KA 6250W 12-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
| FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon |
IGBT MODULE 1700V 6250W Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
| FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I |
Produkt ist nicht verfügbar |