FF200R12KE3


Produktcode: 35777
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+200.93 EUR
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FF200R12KE3 Infineon Technologies Infineon_FF200R12KE3_DS_v03_01_en_de-3359979.pdf IGBT Modules 1200V 200A DUAL
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+241.13 EUR
10+203.6 EUR
100+184.35 EUR
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FF200R12KE3 EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FF200R12KE3 Infineon_FF200R12KE3_DS_v03_01_en_de-3359979.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 200A DUAL
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10+203.6 EUR
100+184.35 EUR
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FF200R12KE3
Hersteller: EUPEC
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