| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 25+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
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Technische Details FGA15S125P onsemi / Fairchild
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench, Gate Charge: 129 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 136 W.
Weitere Produktangebote FGA15S125P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FGA15S125P | Fairchild Semiconductor |
 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOPackaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
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FGA15S125P | onsemi |
Description: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
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| FGA15S125P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA15S125P - IGBT, 30 A, 2.25 V, 136 W, 1.25 kV, TO-3PN, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25 Verlustleistung: 136 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PN Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25 Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| FGA15S125P | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA15S125P |
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 129 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 136 W
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 129 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 136 W
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| FGA15S125P |
|
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 129 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 136 W
Description: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 129 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 136 W
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| FGA15S125P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA15S125P - IGBT, 30 A, 2.25 V, 136 W, 1.25 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25
Verlustleistung: 136
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGA15S125P - IGBT, 30 A, 2.25 V, 136 W, 1.25 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25
Verlustleistung: 136
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| FGA15S125P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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