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FGA180N30DTU

FGA180N30DTU Fairchild Semiconductor

FAIRS27784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 300V 180A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 185 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 480 W
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Technische Details FGA180N30DTU Fairchild Semiconductor

Description: IGBT 300V 180A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, Gate Charge: 185 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 180 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A, Power - Max: 480 W.

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FGA180N30DTU FGA180N30DTU Hersteller : onsemi FGA180N30D.pdf Description: IGBT 300V 180A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 185 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
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