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FGA25S125P-SN00337

FGA25S125P-SN00337 ON Semiconductor

fga25s125p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
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Technische Details FGA25S125P-SN00337 ON Semiconductor

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/502ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 204 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.

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FGA25S125P-SN00337 FGA25S125P-SN00337 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366217-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/502ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
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FGA25S125P-SN00337 Hersteller : onsemi / Fairchild FGA25S125P_D-2313054.pdf IGBT Transistors SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
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FGA25S125P-SN00337 FGA25S125P-SN00337 Hersteller : ON Semiconductor fga25s125p-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
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