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FGA50N100BNTDTU

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Produktcode: 143764
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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FGA50N100BNTDTU FGA50N100BNTDTU Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FGA50N100BNTD-D-1809250.pdf IGBT Transistors 600V 4 0A UFD
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FGA50N100BNTDTU FGA50N100BNTDTU Hersteller : onsemi fga50n100bntd-d.pdf Description: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
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