FGA60N60UFDTU onsemi / Fairchild
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Technische Details FGA60N60UFDTU onsemi / Fairchild
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns, Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 188 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 298 W.
Weitere Produktangebote FGA60N60UFDTU nach Preis ab 20 EUR bis 20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| FGA60N60UFDTU | Hersteller : ON-Semicoductor |
 IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtuAnzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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FGA60N60UFDTU Produktcode: 101205
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FGA60N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGA60N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FGA60N60UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 188 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 298 W |
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