FGA60N60UFDTU - Transistoren - Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details FGA60N60UFDTU
Preis FGA60N60UFDTU ab 11.13 EUR bis 17.59 EUR
 Hersteller: onsemi Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P Power - Max: 298 W Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 188 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns IGBT Type: Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns 
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auf Bestellung 200 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGA60N60UFDTU Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
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auf Bestellung 285 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ON IGBT 600V 120A 298W Trans. FGA60N60UFDTU TO3P TFGA60N60ufdtu Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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auf Bestellung 10 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ONSEMI Material: FGA60N60UFDTU THT IGBT transistors
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ONSEMI Material: FGA60N60UFDTU THT IGBT transistors
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA60N60UFDTU Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
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auf Bestellung 312 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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