FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor


FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT
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Technische Details FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Hersteller : onsemi / Fairchild fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs 40A/600V/ IGBT
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FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Hersteller : onsemi fgaf40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
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FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Hersteller : ONSEMI FAIRS46118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FGAF40N60UFTU Hersteller : ON Semiconductor fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Hersteller : ON Semiconductor 3658713940269190fgaf40n60uf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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FGAF40N60UFTU Hersteller : ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGAF40N60UFTU Hersteller : ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
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Collector current: 20A
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