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FGB40N6S2

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FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 49865
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGB40N6S2 FGB40N6S2 Fairchild Semiconductor FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 12383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
90+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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FGB40N6S2 FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGB40N6S2
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
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AnzahlPrivatkunde
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