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Technische Details FGH40T65SHDF-F155 onsemi / Fairchild
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 101 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns, Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Weitere Produktangebote FGH40T65SHDF-F155 nach Preis ab 4.09 EUR bis 7.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGH40T65SHDF-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 101 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
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FGH40T65SHDF-F155 Produktcode: 190128
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FGH40T65SHDF-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH40T65SHDF-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| FGH40T65SHDF-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Gate charge: 68nC |
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