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FGH60N60SFDTU

FGH60N60SFDTU FAIR/ON

fgh60n60sfd-datasheet.pdf
Produktcode: 71883
Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.7 EUR
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Möglichen Substitutionen FGH60N60SFDTU FAIR/ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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Hersteller : Китай fgh60n60sfd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 17 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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Hersteller : Китай fgh60n60sfd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 17 St.:
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh60n60sfd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
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FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : onsemi fgh60n60sfd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : onsemi / Fairchild FGH60N60SFD-D.PDF IGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
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3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano)
Produktcode: 3022
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ECR_081225.pdf
3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x41mm
Lebensdauer: 22х41mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 16 St.:
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100 St. - erwartet 30.04.2026
Anzahl Preis
1+1.66 EUR
10+1.4 EUR
100+1.23 EUR
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2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Produktcode: 16343
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HI_Voltage_070726.pdf
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 3000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5mm
Part Nummer: KF3F222Z-L016BD8.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 239 St.
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.072 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1833 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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AOS218/247 Dichtung keramische 3mm 25x21 TO218/247
Produktcode: 29478
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aos247.pdf
AOS218/247 Dichtung keramische 3mm 25x21 TO218/247
Hersteller: Fisher
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Dichtung thermisch leitende keramische, 3mm 25x21mm, für ТО-218, ТО-247, 25W/mК, 10kV/mm
Größe: 21х25х3mm + Loch.4,0mm, fuer Gehause TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
білий
auf Bestellung 350 St.:
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Anzahl Preis
1+0.76 EUR
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IR2121PBF
Produktcode: 35516
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ir2121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84fa31691
IR2121PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
auf Bestellung 44 St.:
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1+3.72 EUR
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