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FGH60N60SFDTU

FGH60N60SFDTU FAIR/ON

fgh60n60sfd-datasheet.pdf
Produktcode: 71883
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Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU ON Semiconductor fgh60n60sfd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
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FGH60N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3022
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ECR_081225.pdf
3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 54 St.
  • 54 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.98 EUR
10+1.7 EUR
100+1.56 EUR
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2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Produktcode: 16343
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HI_Voltage_070726.pdf
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2 nF
Nennspannung: 3 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 139 St.
  • 139 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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IR2121PBF
Produktcode: 35516
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ir2121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84fa31691
IR2121PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 5...12 В
Ausgangsstrom Io ±, A: 1/2 А
Ausgangsspannung Vout, V: 12-18 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 150/150 ns
Bemerkung: Low-Side-Treiber mit Strombegrenzung
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Low-Side
auf Bestellung: 49 St.
  • 49 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.16 EUR
10+4.66 EUR
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IRFP250NPBF
Produktcode: 40169
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description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2159/123
Montage: THT
auf Bestellung: 130 St.
  • 130 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.94 EUR
10+2.7 EUR
100+2.45 EUR
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KBPC5010W (Diodenbrücke)
Produktcode: 45256
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kbpc5010w-datasheet.pdf
KBPC5010W (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 50 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 60 А
auf Bestellung: 76 St.
  • 76 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.39 EUR
10+1.23 EUR
100+1.07 EUR
1000+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH