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Fotowiderstand GL5506 2-5 кОм

Fotowiderstand GL5506 2-5 кОм

Produktcode: 200840
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Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,2 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 2-5 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 80 St.
  • 80 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PGM5506
Produktcode: 107658
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PGM5506
Hersteller: Token
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Leistung 90 mW; Widerstand 2...6 kOhm; Dunkelwiderstand 0,15 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung: 69 St.
  • 69 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Fotowiderstand GL5516 5-10 кОм
Produktcode: 185007
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Fotowiderstand GL5516 5-10 кОм
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,5 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 5-10 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
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TL072CDT
Produktcode: 15997
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cd00000490de3.pdf
TL072CDT
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 В
Bandbreite BW, MHz: 4 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 10 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 16 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung: 690 St.
  • 690 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PGM5616D
Produktcode: 107663
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PGM5616D
Hersteller: Token
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 560 нм
Zusätzlich: Leistung 100 mW; Widerstand 5...10 kOhm; Dunkelwiderstand 1,0 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung: 100 St.
  • 100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf BD135-D.PDF
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung: 388 St.
  • 388 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH