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Fotowiderstand GL5506 2-5 кОм
Produktcode: 200840
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Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,2 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 2-5 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
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| PGM5506 Produktcode: 107658
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Hersteller: Token
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Leistung 90 mW; Widerstand 2...6 kOhm; Dunkelwiderstand 0,15 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Leistung 90 mW; Widerstand 2...6 kOhm; Dunkelwiderstand 0,15 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung 69 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Fotowiderstand GL5516 5-10 кОм Produktcode: 185007
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Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,5 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 5-10 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,5 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 5-10 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
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erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet 22.07.2026
| TL072CDT Produktcode: 15997
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 |
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 В
Bandbreite BW, MHz: 4 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 10 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 16 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 В
Bandbreite BW, MHz: 4 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 10 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 16 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
auf Bestellung 695 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.23 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| PGM5616D Produktcode: 107663
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|
Hersteller: Token
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 560 нм
Zusätzlich: Leistung 100 mW; Widerstand 5...10 kOhm; Dunkelwiderstand 1,0 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 560 нм
Zusätzlich: Leistung 100 mW; Widerstand 5...10 kOhm; Dunkelwiderstand 1,0 MOhm; Montage: THT
Typ: Fotowiderstand
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BD139 Produktcode: 191983
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|
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung 422 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)