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Fotowiderstand GL5516 5-10 кОм
Produktcode: 185007
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Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,5 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 5-10 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
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Weitere Produktangebote Fotowiderstand GL5516 5-10 кОм
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GL5516 | --- | Фоторезистор, розмір - Ф5, 0, опір в освітленому сотоянии 5-10 кОм, темновий 500 кОм. Датчики оптичних величин та зображень |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GL5516 |
Hersteller: ---
Фоторезистор, розмір - Ф5, 0, опір в освітленому сотоянии 5-10 кОм, темновий 500 кОм. Датчики оптичних величин та зображень
Фоторезистор, розмір - Ф5, 0, опір в освітленому сотоянии 5-10 кОм, темновий 500 кОм. Датчики оптичних величин та зображень
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| Fotowiderstand GL5506 2-5 кОм Produktcode: 200840
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|
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,2 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 2-5 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 150 В
Spektrales Maximum, nm: 540 нм
Zusätzlich: Dunkelwiderstand: 0,2 MOhm. Widerstand bei 10 lux: 2-5 kOhm. Max. Spannung: 150 VDC. Max. Leistung: 100 mW. Abmessungen: 5,1x4,3mm.
Typ: Fotowiderstand
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erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet 22.07.2026
| BD139 Produktcode: 191983
5
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|
![]() |
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung 422 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SN74HC165D Produktcode: 29876
2
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|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-16
Beschreibung: Zähler/Schieberegister 8-Bit mit Parallel-Laden
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-16
Beschreibung: Zähler/Schieberegister 8-Bit mit Parallel-Laden
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
auf Bestellung 1000 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| NE5534P Produktcode: 27237
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|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1
Anzahl Kanäle: 1
Montage: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±15 V
Bandbreite BW, MHz: 10 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,5 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1
Anzahl Kanäle: 1
Montage: THT
verfügbar: 132 St.
- 15 St. - stock Köln
- 117 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| J112 Produktcode: 26850
1
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|
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Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -35 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 28/-
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -35 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 28/-
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.13 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.093 EUR |





