FP10R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP10R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 105W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP10R12W1T4B11BOMA1 nach Preis ab 72.51 EUR bis 72.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 20A 105WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 105 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP10R12W1T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 10 A, 1.85 V, 105 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 Produktcode: 199758
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 23-Pin EASY1B-2 Tray |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105000mW 23-Pin EASY1B-2 Tray |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105W 23-Pin EASY1B-2 Tray |
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FP10R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
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