FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 54A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 54A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FP35R12W2T4B11BOMA1 nach Preis ab 34.52 EUR bis 120.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 54A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 54A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 Produktcode: 180186 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215000mW 23-Pin EASY2B-2 Tray |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
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