FP35R12W2T4B11BOMA1


Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279
Produktcode: 180186
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FP35R12W2T4B11BOMA1 nach Preis ab 77.81 EUR bis 121.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279 Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.54 EUR
15+77.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+109.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 INFINEON 2354601.pdf Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 54A
Produktpalette: EconoPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 54A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+121.3 EUR
5+101.34 EUR
10+83.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon-FP35R12W2T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed3bcbcc0279
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 54A 215W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+106.54 EUR
15+77.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP35R12W2T4B11BOMA1 944ds_fp35r12w2t4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 54A 215W 23-Pin EASY2B-2 Tray
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+109.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP35R12W2T4B11BOMA1 2354601.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP35R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 54A
Produktpalette: EconoPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 54A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+121.3 EUR
5+101.34 EUR
10+83.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH