FP50R06W2E3BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FP50R06W2E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 65A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 65A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP50R06W2E3BOMA1 nach Preis ab 55.40 EUR bis 88.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-1 Tray |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-1 Tray |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-1 Tray |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-1 Tray |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 65A 175W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 175 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 65A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 175W euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPIM 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 65A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FP50R06W2E3BOMA1 Produktcode: 160736
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FP50R06W2E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 175W 23-Pin EASY2B-1 Tray |
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