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FP75R12KT4B16BOSA1

Produktcode: 219908
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FP75R12KT4B16BOSA1 FP75R12KT4B16BOSA1 Hersteller : INFINEON 4626549.pdf Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FP75R12KT4B16BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 150A 385W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 385 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
auf Bestellung 21 Stücke:
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Anzahl Preis
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FP75R12KT4B16BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A three phase PIM
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+133.87 EUR
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FP75R12KT4B16BOSA1 Hersteller : Infineon Technologies IGBT Module Product
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