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FP7G75US60

FP7G75US60 Fairchild Semiconductor

FAIRS26469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
Packaging: Tube
Package / Case: EPM7
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: EPM7
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 310 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.515 nF @ 30 V
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Technische Details FP7G75US60 Fairchild Semiconductor

Description: IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7, Packaging: Tube, Package / Case: EPM7, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: EPM7, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 310 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.515 nF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FP7G75US60 ONSEMI FAIRS26469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FP7G75US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FP7G75US60 FAIRS26469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FP7G75US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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