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FQP7P06

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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FQP7P06 FQP7P06 Fairchild info-tfqp7p06.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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FQP7P06 FQP7P06 Fairchild Semiconductor FAIRS38883-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
312+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 312
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FQP7P06 info-tfqp7p06.pdf
FQP7P06
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
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FQP7P06
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Batt. 15A alkalisch, LR6, AA, 1.5V, GP, U2Batt. 15A alkalisch, LR6, AA, 1.5V, GP, U2
Batt. 15A alkalisch, LR6, AA, 1.5V, GP, U2Batt. 15A alkalisch, LR6, AA, 1.5V, GP, U2
Hersteller: GP Batteries
Batterien
Material: alkalisch
Größe: R6 (AA-"Finger")
Spannung: 1,5 V
Bemerkung: 2stck. in Blister
Циліндрична
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Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.3 EUR
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BZX79-C10
Produktcode: 24002
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BZX79.pdf
BZX79-C10
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 10
Istab.direkt,A: 0,04
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 6.4mV/K
auf Bestellung 3432 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
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100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
Produktcode: 18267
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 100V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15W104K2AH5-L
№ 8: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 15.06.2026
Anzahl Preis
10+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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150 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-150R-Hitano)
Produktcode: 3420
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CR-S_080911.pdf
150 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-150R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 150 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
verfügbar: 1713 St.
230 St. - stock Köln
1483 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.018 EUR
100+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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